Григоров В.А.

  ,% 83289 Класс 20i, 34 СССР g>rpg Петю;11;.--0-; и if 5 i-. ;1 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ В. А. Григоров МАРШРУТНО-СИГНАЛЪНЫЙ АППАРАТ-ЦЕНТРАЛ ИЗАТОР Заявлено 22 декабря 1948 г. за ¹ 389156 в Комитет но изобретениям и открытиям при Совете Министров ГССР В известных системах (например, маршрутно1контрольные устройства системы инж. Наталевича Е. Е.) п...

 Способ спектральной апконверсии оптического излучения, включающий облучение активного элемента, выполненного из люминесцентного материала, конвертируемым и вспомогательным излучениями, отличающийся тем, что, с целью снижения порога чувствительности и расширения динамического диапазона, активный элемент непрерывно перемещают и пространственно разделяют потоки конвертируемого и вспомогатель...

 1. Способ получения лазерного материала на основе монокристаллов LiF, включающий создание в них центров путем облучения монокристаллов, отличающийся тем, что, с целью смещения спектров генераций каждого типа центров, при одновременном изменении отношений коэффициентов оптического поглощения в максимумах центров в интервале от 0,01 до 1,03, облучают монокристаллы -излучением с экспозиционн...

 1. Способ приготовления лазерных материалов на основе монокристаллов щелочных фторидов, содержащих центры окраски, включающий выращивание монокристалла из расплава соли щелочного фторида и создание в монокристалле рабочих центров окраски путем его облучения ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью устранения сопутствующих центров окраски, поглощающих и испускающих излучение...

 (19)SU(11)986268(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) АКТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ЛАЗЕРА (ЕГО ВАРИАНТЫ), СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ, ЛАЗЕР Изобретение относится к области квантовой электроники, а более конкретно к лазерам на центрах окраски в кристалл...

 (19)SU(11)1018573(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) ЛАЗЕРНАЯ СРЕДА ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПАССИВНЫХ ЗАТВОРОВ Изобретение относится к квантовой элетронике, к лазерным активным и пассивным элементам на центрах окраски. Оно может быть использовано для...

 Способ получения лазерных активных сред на центрах окраски на основе монокристаллов путем их облучения ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона лазерных активных сред, облучают нейтронным излучением дозой от 3 1017 до 1,2 1019 нейтрон/см2 монокристалл окиси алюминия.

 Активный элемент твердотельного лазера на основе монокристалла фторида лития с F2-центрами окраски, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы активного элемента при одновременном повышении частоты следования импульсов генерации, монокристалл фторида лития дополнительно содержит Mg++ O---комплексы.

 Изобретение относится к области квантовой электроники, к лазерам на центрах окраски. Цель изобретения - снижение порога накачки и повышение оптической устойчивости центров окраски. Активная лазерная среда представляет собой монокристалл фторида лития, содержащий F2 - центры. Концентрация F2 - центров в среде в единицах коэффициента оптического поглощения равна 100-700 см-1. Для получения...

  Изобретение относится к квантовой электронике, к лазерным активным средам на основе монокристаллов с центрами окраски (ЦО). Цель изобретения - снижение порога генерации F+3 -центров при одновременном повышении оптической устойчивости F2 -центров. Для этого лазерная активная среда на основе монокристалла LiF(F2F+3) содержит концентрации рабочих центров, соответствующие коэффициентам погло...

 Способ изготовления лазерных материалов на основе кристалла Al2O3 с центрами окраски, включающий облучение кристалла быстрыми нуклонами и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации рабочих центров окраски, дополнительно облучают кристалл лазерным излучением с длиной волны 0,4 - 0,63 мкм и плотностью мощности 3 - 280 МВт/см2.

 Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к твердотельным лазерным средам на центрах окраски. Целью изобретения является повышение концентрации рабочих центров. В неорганическом соединении в виде оптической керамики создается большее количество рабочих лазерных центров (F2) и меньшее паразитных (F+3) обуславливающих оптические потери, по сравнению с монокристаллическим вариа...

 Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к способам получения НЗ-центров окраски. Цель изобретения - повышение концентрации НЗ-центров при одновременном снижении концентрации паразитных центров поглощения в полосе люминесценции НЗ. Способ включает облучение алмаза с однородным распределением по объему А-агрегатов и с их концентрацией не менее 1018 см-3 ионизирующим излучени...

 Использование: в нелинейной оптике, а именно в качестве материалов лазерной техники. Сущность изобретения: вещество представляет собой кристалл алмаза с GRI-центрами окраски с концентрацией 1018-1020 см-3 в котором равномерно распределен по объему примесный азот в виде A-дефекта с концентрацией не более 1019 см-3 Вещество представляет собой кристалл алмаза с GRI-центрами окраски, в которо...