Трохин А.С.

  Использование: в способах, предназначенных для изготовления диодов, транзисторов, в том числе фотодиодов и фототранзисторов, а также приборов на кристаллах арсенида индия. Сущность изобретения: способ изготовления планарных p+- n -переходов на кристаллах inAs n-типа проводимости основан на методе ионной имплантации с последующим отжигом. В качестве исходных кристаллов используют эпитакси...