Баландин В.Ю.
Изобретатель Баландин В.Ю. является автором следующих патентов:

Способ получения структур с захороненным металлическим слоем
Использование: в полупроводниковой микроэлектронике, а именно в технологии создания транзисторов со статической индукцией, с проницаемой или металлической базой, либо для получения встроенных слоев с металлической проводимостью в интегральных схемах. Сущность изобретения: способ заключается в том, что кристаллическую пластину полупроводника или пластину диэлектрика облучают ионами металл...
2045795