Мозгунов А.Ф.
Изобретатель Мозгунов А.Ф. является автором следующих патентов:
Способ изготовления полевого транзистора с субмикронным затвором шоттки
Использование: в микроэлектронике при изготовлении полевых транзисторов с субмикронным затвором Шоттки. Сущность изобретения: способ изготовления полевых транзисторов с субмикронным затвором Шоттки включает формирование тонкого легированного и толстого сильнолегированного слоев на полуизолирующей подложке, формирование электродов истока и стока, нанесение между электродами полоски диэлект...
2046453