Романов В.Л.

 1. Способ одностороннего травления пластин полупроводниковых материалов, включающий нанесение защитного покрытия на рабочую сторону пластины, утоньшение химической или механической обработкой, удаление защитного покрытия, отличающийся тем, что, с целью исключения возможности разрушения пластин и увеличения процента выхода годных, защитное покрытие наносят тремя слоями, первый из которых с...

 Использование: в микроэлектронике при изготовлении полевых транзисторов с субмикронным затвором Шоттки. Сущность изобретения: способ изготовления полевых транзисторов с субмикронным затвором Шоттки включает формирование тонкого легированного и толстого сильнолегированного слоев на полуизолирующей подложке, формирование электродов истока и стока, нанесение между электродами полоски диэлект...