Сухоруков Н.И.

 Использование: микроэлектроника, изготовление комплементарных МДП БИС. С целью повышения быстродействия схем за счет снижения паразитной емкости боковой стенки перехода транзистора и поликремниевой разводки на кремниевой подложке первого типа проводимости формируют области карманов второго типа проводимости. Наносят слой оксида кремния и слой нитрида кремния. Формируют маску из нитрида кр...

 Использование: в микроэлектронике при изготовлении больших интегральных КМОП-схем. Сущность изобретения: способ изготовления больших интегральных КМОП-схем включает легирование примесью первого типа проводимости полевых областей обоих типов проводимости, создание предварительного оксида кремния толщиной, не превышающей более чем в 1,5 раза толщину слоя нитрида кремния, а после создания вт...