Гейм К.А.

  Использование: получение материалов для оптоэлектроники. Сущность изобретения: способ получения фоточувствительной структуры заключается в последовательном термическом напылении слоя ZnSe и слоев CdTe толщиной 0,5-2,0 мкм и (ZnTe)1-y(Jn2Te3)y толщиной 1,0-5,0 мкм на стеклянную подложку с прозрачным электродом, нагретую до температуры 150-200°С с последующим отжигом в ваккуме при температ...