Осовский М.И.

 Изобретение относится к металлургии полупроводникового кремния и может быть использовано при получении легированных монокристаллов кремния методом индукционной бестигельной зонной плавки. Способ включает вакуумирование рабочей камеры, осушку ее атмосферы и оснастки. Затем проводят расплавление зоны исходного стержня кремния и вводят в нее легирующую добавку. Введение добавки ведут порциям...