Кисиль И.И.
Изобретатель Кисиль И.И. является автором следующих патентов:

Устройство для выращивания кристаллов
Изобретение касается выращивания монокристаллов из расплава и может быть использовано для получения щелочногалоидных сцинтилляционных кристаллов. Устройство включает ампулу с конусным дном, вертикально установленную в коаксиальном нагревателе на подставке, имеющей углубление, соответствующее углу конуса, в котором размещен неподвижный нагреватель для инициирования кристаллизации. Средство...
2049829