PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Любинский В.Р.

Изобретатель Любинский В.Р. является автором следующих патентов:

Способ получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов

Способ получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов

 Изобретение относится к способам получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов и обеспечивает повышение производительности процесса при сохранении оптического качества кристаллов, а также одновременное получение сцинтилляционного элемента для низкофонового спектрометра, содержащего световод. Способ включает плавление исходной соли в контейнере, введение в расплав соли активатора...

1304442

Детектор рентгеновского излучения

Детектор рентгеновского излучения

 Детектор рентгеновского излучения, содержащий протяженный сцинтиллятор и отражатель, расположенный по длине кристалла, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности детектора и ее однородности, детектор выполнен в виде плоского сцинтиллятора, расположенного в пазу световода, выполненного в виде цилиндрического или расширяющегося к его торцам, служащими выходными окнами, тела и...

1447101

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава

  Изобретение относятся к получению искусственных кристаллов и обеспечивает повышение выхода годных монокристаллов. Устройство содержит тигель для расплава с кольцевой емкостью в его верхней часта Емкость имеет с тиглем общую стенку с отверстием. Над емкостью размещен экран 8 виде шайбы, а в тигле расположен экран в форме полого цилиндра, установленного с зазором относительно дна П...

1510411

Способ выращивания щелочно-галоидных кристаллов

Способ выращивания щелочно-галоидных кристаллов

 Изобретение относится к получению кристаллов и позволяет ускорить процесс. Выращивание ведут вертикальной направленной кристаллизацией путем пропускания цилиндрической ампулы с расплавом через охлаждаемую диафрагму со скоростью V. Сначала расплав перегревают на t1= 30-50C выше t плавления и в течение времени t1=(hk + hx)/V выращивают конусную часть кристалла, затем со скоростью U1= 0,3(t2...

1610942

Устройство для выращивания кристаллов

Устройство для выращивания кристаллов

 Изобретение касается выращивания монокристаллов из расплава и может быть использовано для получения щелочногалоидных сцинтилляционных кристаллов. Устройство включает ампулу с конусным дном, вертикально установленную в коаксиальном нагревателе на подставке, имеющей углубление, соответствующее углу конуса, в котором размещен неподвижный нагреватель для инициирования кристаллизации. Средство...

2049829