Масахиро Хосино (JP)

Изобретение относится к способам очистки кремния с помощью плазменной технологии при промышленном производстве кремния. Способ включает разогрев в тигле неочищенного кремния до получения расплава и обработку расплава плазменным факелом, содержащим инертный газ, восстановительный газ и пары воды. Обработку кремния производят с помощью струи плазмы аргона с примесью паров воды, направленной вертика...

Изобретение относится к способу очистки кремния с помощью плазменной технологии при промышленном производстве кремния для фотоэлектронной промышленности, и в том числе для изготовления солнечных батарей. Способ включает разогрев в тигле неочищенного кремния до получения расплава и обработку расплава плазменным факелом, содержащим инертный газ и пары воды. Причем разогрев и плавление неочищенного...