Кувшинова Наталья Александровна (RU)

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: способ изготовления СВЧ полевого транзистора с барьером Шотки включает изготовление на лицевой поверхности полуизолирующей подложки с активным слоем, по меньшей мере, одной пары электродов истока и стока с каналом между ними, канавки в канале под электрод затвора, электрода затвора типа барьер Шотки, асимметрично расположенного в...