Саркаров Т.Э.

 Использование: изобретение относится к электрохимическим методам контроля полупроводниковых материалов и может быть использовано для оценки качества обработки поверхности. Сущность изобретения: контролируемую пластину используют в качестве рабочего электрода электрохимической ячейки. Ячейка содержит кроме рабочего электрода электрод сравнения и вспомогательный электрод. Кроме этих электро...

  Способ термической обработки контактных пружин из бериллиевой бронзы. Сущность изобретения: контактные пружины из бериллиевой бронзы подвергают термической обработке на оправке, в качестве которой используют стальную пластину с вырезанными пазами по размерам пружин, а термическую обработку проводят при температуре 300 400°С с последующим охлаждением. Контактные пружины, изготовленные из...

 Использование: при получении тонкопленочного диэлектрика оксида алюминия в производстве металл-диэлектрик-полупроводник устройств. Сущность: на поверхности подложки формируют тонкопленочный диэлектрик оксида алюминия при температуре 180-400oC осаждением из газовой фазы за счет реакции между хлоридом алюминия, кислородом и окисью азота. Изобретение относится к технологии получения полупров...

 Использование: получение борсодержащих пленок. Процесс получения борсодержащих пленок ведут из газовой фазы, содержащей гомогенную смесь тетрахлорида кремния (SiCl4), кислорода с добавкой окиси азота и трихлорида бора при температурах 50 - 200oС, при следующем соотношении компонентов, об.%: SiCl4 16-17, О2 16-17, ВСl3 1,2-2,5, NO - остальное. Изобретение относится к технологии получения п...

 Использование: в технологии получения полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: на поверхности подложки формируют легированный бором и фосфором слой двуокиси кремния при 50-200°С, осаждением из газовой фазы за счет реакций между тетрахлоридом кремния, трихлорида бора, трихлорида фосфора с кислородом и окисью азота. Техническим результатом изобретения является снижение температуры...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Техническим результатом изобретения является повышение надежности контакта кристалла с кристаллодержателем и стабильности процесса присоединения. Сущность способа: на обратную сторону кремниевой пластины наносят последовательно в едином технологическом цикле че...

 Использование: в технологии получения полупроводниковых приборов, в частности в способах получения пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является окись тантала (Та2О5). Техническим результатом изобретения является получение пленки окиси тантала при низких температурах. Сущность изобретения: на поверхности подложки формируют тонкопленочный диэлектрик окиси тантала...