Адамов А.П.

 Использование: при получении тонкопленочного диэлектрика оксида алюминия в производстве металл-диэлектрик-полупроводник устройств. Сущность: на поверхности подложки формируют тонкопленочный диэлектрик оксида алюминия при температуре 180-400oC осаждением из газовой фазы за счет реакции между хлоридом алюминия, кислородом и окисью азота. Изобретение относится к технологии получения полупров...