Хаспулатов Х.А.

 Использование: при получении тонкопленочного диэлектрика оксида алюминия в производстве металл-диэлектрик-полупроводник устройств. Сущность: на поверхности подложки формируют тонкопленочный диэлектрик оксида алюминия при температуре 180-400oC осаждением из газовой фазы за счет реакции между хлоридом алюминия, кислородом и окисью азота. Изобретение относится к технологии получения полупров...

 Использование: получение борсодержащих пленок. Процесс получения борсодержащих пленок ведут из газовой фазы, содержащей гомогенную смесь тетрахлорида кремния (SiCl4), кислорода с добавкой окиси азота и трихлорида бора при температурах 50 - 200oС, при следующем соотношении компонентов, об.%: SiCl4 16-17, О2 16-17, ВСl3 1,2-2,5, NO - остальное. Изобретение относится к технологии получения п...