УЭСТ Роберт С. (US)
Изобретатель УЭСТ Роберт С. (US) является автором следующих патентов:

Удаление подложки в ходе формирования сид
Способ изготовления структуры светоизлучающего диода (СИД) включает формирование слоев СИД, включающих слой n-типа, активный слой и слой р-типа поверх подложки для роста; формирование металлических контактов на нижней поверхности слоев СИД, причем нижняя поверхность слоев СИД является поверхностью, противоположной поверхности подложки для роста; обеспечение подмонтажной опоры, имеющей металлическ...
2466480