МАРТИН Пол С. (US)

Способ изготовления структуры светоизлучающего диода (СИД) включает формирование слоев СИД, включающих слой n-типа, активный слой и слой р-типа поверх подложки для роста; формирование металлических контактов на нижней поверхности слоев СИД, причем нижняя поверхность слоев СИД является поверхностью, противоположной поверхности подложки для роста; обеспечение подмонтажной опоры, имеющей металлическ...

Способ изготовления светоизлучающего устройства согласно изобретению содержит следующие этапы: обеспечение кристалла светоизлучающего диода (СИД) на опоре (22), причем между кристаллом СИД и опорой существует зазор, причем кристалл СИД имеет нижнюю поверхность, обращенную к опоре, и верхнюю поверхность, противоположную нижней поверхности, формование материала (54) прокладки поверх кристалла СИД...