ХАДЕЙТ Манту К. (US)

Изобретение относится к способам и структурам для формирования микроэлектронных устройств. Сущность изобретения: способ формирования буферной архитектуры включает формирование зародышевого слоя GaSb на подложке, формирование буферного слоя Ga(Al)AsSb на зародышевом слое GaSb, формирование нижнего барьерного слоя In0.52Al0.48As на буферном слое Ga(Al)AsSb и формирование переходного слоя InxAl1-xAs...