ФАСТЕНО Жоэль М. (US)
Изобретатель ФАСТЕНО Жоэль М. (US) является автором следующих патентов:
Способ формирования буферной архитектуры (варианты), микроэлектронная структура, сформированная таким образом
Изобретение относится к способам и структурам для формирования микроэлектронных устройств. Сущность изобретения: способ формирования буферной архитектуры включает формирование зародышевого слоя GaSb на подложке, формирование буферного слоя Ga(Al)AsSb на зародышевом слое GaSb, формирование нижнего барьерного слоя In0.52Al0.48As на буферном слое Ga(Al)AsSb и формирование переходного слоя InxAl1-xAs...
2468466