Стефанович Генрих Болеславович (RU)

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении двухэлектродных резистивных энергонезависимых элементов запоминающих устройств. Сущность изобретения: способ получения энергонезависимого элемента памяти включает создание нижнего проводящего электрода, буферного изоляционного слоя, слоя, обладающего резистивным переключением, и верхнего проводящего электр...

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: способ получения диода на основе оксида ниобия включает создание нижнего проводящего электрода, выпрямляющего электрического перехода и верхнего проводящего электрода. В качестве выпрямляющего электрического перехода используют слой оксида ниобия толщиной от 40 нм до 100 нм с верхним электродом, обеспечивающим образование барьера Шот...