Кацавец Николай Иванович (RU)

Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых гетероструктур со множественными квантовыми ямами методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и может быть использовано при изготовлении устройств на основе фотоприемных матриц с чувствительностью в глубоком инфракрасном диапазоне (8-12 мкм). Сущность изобретения: в способе выращивания гетероструктуры для инфракрасного фотодетектор...