Рыльков В.В.

 Способ определения параметров примеси в полупроводнике, включающий измерение в криостате ЭДС Холла в образце Uн и эталоне Uн, и соответствующих токов I и I1, в условиях фоновой подсветки при температуре Tв из области вымораживания примесей, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа и обеспечения возможности определения концентрации основной легирующей примеси, в криостат д...

 Изобретение относится к технологии создания рисунков с помощью заряженных частиц и может быть использовано при изготовлении различных электронных приборов, запоминающих устройств и т.д., имеющих сложные структуры, состоящие из множества сверхмалых элементов. Способ получения рисунка включает в себя пропускание пучка заряженных частиц через маску и его последующую фокусировку на облучаемую...

 Использование: в микроэлектронике для создания сверхминиатюрных приборов, интегральных схем, запоминающих устройств и оптических элементов. Техническим результатом изобретения является повышение разрешающей способности структуры путем создания отдельных ее элементов размером от нескольких нанометров до десятков нанометров. Сущность изобретения: способ включает нанесение на подложку слоя м...