PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Кремнев А.А.

Изобретатель Кремнев А.А. является автором следующих патентов:

Полупроводниковый резистор с температурной компенсацией и способ его изготовления

Полупроводниковый резистор с температурной компенсацией и способ его изготовления

 (19)SU(11)1101081(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/22, H01L27/02(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 10.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ РЕЗИСТОР С ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано как при разработке и изготовлении пол...

1101081

Способ изготовления полупроводниковых структур с температурной компенсацией

Способ изготовления полупроводниковых структур с температурной компенсацией

 (19)SU(11)1131388(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/225(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 10.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано как при разработке и изготовлении полупроводниковых и...

1131388

Способ изготовления полупроводниковых структур с температурной компенсацией

Способ изготовления полупроводниковых структур с температурной компенсацией

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных микросхем и дискретных полупроводниковых приборов. Цель изобретения - повышение качества структур за счет уменьшения температурного коэффициента удельного сопротивления слоев кремния p- и n-типа и упрощение технологии легирования. В данном способе на поверхности монокристаллического кремния фо...

1531753

Способ изготовления полупроводниковых структур с температурной компенсацией

Способ изготовления полупроводниковых структур с температурной компенсацией

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов. Цель изобретения - повышение качества за счет уменьшения температурного коэффициента удельного сопротивления слоев кремния. В данном способе формируют две соприкасающиеся диффузионные области в монокремнии путем легирования их пленок диоксида кремния....

1635817

Способ легирования полупроводников

Способ легирования полупроводников

 Использование: технология изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: на кремниевую пластину наносят источник примеси, помещают пластину на плоский электрод, нагревают пластину до 300 - 800С и проводят обработку пластины коронным разрядом в течение времени, необходимого для получения требуемой глубины легирования. Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к тех...

1783930


Способ изготовления структур кремний на диэлектрике

Способ изготовления структур кремний на диэлектрике

 Использование: способ изготовления структур кремний на диэлектрике, используемый в микроэлектронике при изготовлении полупроводниковых микросхем. Сущность изобретения: в качестве связующего материала между поверхностью полупроводниковой пластины и несущей диэлектрической подложки используют слой гидролизнополиконденсированной двуокиси кремния, для этого на поверхность полупроводниковой пл...

2009576

Способ соединения керамических материалов

Способ соединения керамических материалов

 Использование: способ относится к технологии получения вакуумплотных узлов и может быть использовано в электродной, электротехнической и других областях техники для получения герметичных соединений полупроводниковых материалов с керамикой. Сущность изобретения: способ включает нанесение соединительной прокладки на поверхность керамики, проведение в контакт с полупроводником, размещение на...

2013418

Способ соединения плоских материалов с металлом

Способ соединения плоских материалов с металлом

 Использование: способ относится к технологии получения вакуумплотных металлокерамических узлов и может быть использовано в электронной, электротехнической и других областях для получения герметичных соединений пакета керамических материалов с металлом. Сущность изобретения: способ включает нанесение соединительной прокладки, состоящей из слоя фольги алюминия или никеля, на поверхность кер...

2013419

Способ соединения плоских материалов с металлом

Способ соединения плоских материалов с металлом

 Использование: способ относится к технологии получения вакуумплотных металлокерамических узлов и может быть использован в электронной, электротехнической и других областях техники для получения герметичных соединений пакета полупроводниковых материалов с металлом. Способ включает нанесение соединительных прокладок на поверхность каждого полупроводникового материала, приведение в контакт п...

2013420

Установка легирования полупроводников в коронном разряде

Установка легирования полупроводников в коронном разряде

  Использование: изобретение может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Сущность изобретения: установка содержит негерметичную камеру, один из электродов выполнен в виде тонкой проволоки или заостренной проволоки, а нагревательная система расположена по периметру камеры. 1 ил. Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к установ...

2017264


Ходовая тележка преимущественно для крана-штабелера

Ходовая тележка преимущественно для крана-штабелера

 Изобретение относится к подъемно-транспортному оборудованию складов, к составной части напольных кранов-штабелеров, подъемников межстеллажных, погрузчиков. Тележка состоит из рамы-тележки, четырех полноповоротных неприводных колес, привода передвижения и установленного на поворотной площадке приводного колеса, тормозов фиксации, поворотной оси, жестких упоров и устройства фиксации поворот...

2129525