Кремнев А.А.
Изобретатель Кремнев А.А. является автором следующих патентов:
Полупроводниковый резистор с температурной компенсацией и способ его изготовления
(19)SU(11)1101081(13)A1(51) МПК 5 H01L21/22, H01L27/02(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 10.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ РЕЗИСТОР С ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано как при разработке и изготовлении пол...
1101081Способ изготовления полупроводниковых структур с температурной компенсацией
(19)SU(11)1131388(13)A1(51) МПК 5 H01L21/225(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 10.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано как при разработке и изготовлении полупроводниковых и...
1131388Способ изготовления полупроводниковых структур с температурной компенсацией
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных микросхем и дискретных полупроводниковых приборов. Цель изобретения - повышение качества структур за счет уменьшения температурного коэффициента удельного сопротивления слоев кремния p- и n-типа и упрощение технологии легирования. В данном способе на поверхности монокристаллического кремния фо...
1531753Способ изготовления полупроводниковых структур с температурной компенсацией
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов. Цель изобретения - повышение качества за счет уменьшения температурного коэффициента удельного сопротивления слоев кремния. В данном способе формируют две соприкасающиеся диффузионные области в монокремнии путем легирования их пленок диоксида кремния....
1635817Способ легирования полупроводников
Использование: технология изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: на кремниевую пластину наносят источник примеси, помещают пластину на плоский электрод, нагревают пластину до 300 - 800С и проводят обработку пластины коронным разрядом в течение времени, необходимого для получения требуемой глубины легирования. Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к тех...
1783930Способ изготовления структур кремний на диэлектрике
Использование: способ изготовления структур кремний на диэлектрике, используемый в микроэлектронике при изготовлении полупроводниковых микросхем. Сущность изобретения: в качестве связующего материала между поверхностью полупроводниковой пластины и несущей диэлектрической подложки используют слой гидролизнополиконденсированной двуокиси кремния, для этого на поверхность полупроводниковой пл...
2009576Способ соединения керамических материалов
Использование: способ относится к технологии получения вакуумплотных узлов и может быть использовано в электродной, электротехнической и других областях техники для получения герметичных соединений полупроводниковых материалов с керамикой. Сущность изобретения: способ включает нанесение соединительной прокладки на поверхность керамики, проведение в контакт с полупроводником, размещение на...
2013418Способ соединения плоских материалов с металлом
Использование: способ относится к технологии получения вакуумплотных металлокерамических узлов и может быть использовано в электронной, электротехнической и других областях для получения герметичных соединений пакета керамических материалов с металлом. Сущность изобретения: способ включает нанесение соединительной прокладки, состоящей из слоя фольги алюминия или никеля, на поверхность кер...
2013419Способ соединения плоских материалов с металлом
Использование: способ относится к технологии получения вакуумплотных металлокерамических узлов и может быть использован в электронной, электротехнической и других областях техники для получения герметичных соединений пакета полупроводниковых материалов с металлом. Способ включает нанесение соединительных прокладок на поверхность каждого полупроводникового материала, приведение в контакт п...
2013420Установка легирования полупроводников в коронном разряде
Использование: изобретение может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Сущность изобретения: установка содержит негерметичную камеру, один из электродов выполнен в виде тонкой проволоки или заостренной проволоки, а нагревательная система расположена по периметру камеры. 1 ил. Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к установ...
2017264Ходовая тележка преимущественно для крана-штабелера
Изобретение относится к подъемно-транспортному оборудованию складов, к составной части напольных кранов-штабелеров, подъемников межстеллажных, погрузчиков. Тележка состоит из рамы-тележки, четырех полноповоротных неприводных колес, привода передвижения и установленного на поворотной площадке приводного колеса, тормозов фиксации, поворотной оси, жестких упоров и устройства фиксации поворот...
2129525