Рябенко Е.А.(RU)

 Изобретение относится к способу получения моносилана высокой степени чистоты, пригодного для формирования тонкопленочных полупроводниковых изделий, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения (полупроводниковая техника, солнечная энергетика). Сущность изобретения заключается в способе получения моносилана высокой чистоты взаимодействием металлическог...