Стребков Д.С.(RU)

 Изобретение относится к способу получения моносилана высокой степени чистоты, пригодного для формирования тонкопленочных полупроводниковых изделий, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения (полупроводниковая техника, солнечная энергетика). Сущность изобретения заключается в способе получения моносилана высокой чистоты взаимодействием металлическог...

 Изобретение относится к гелиотехнике, в частности к солнечным фотоэлектрическим модулям с концентраторами излучения для получения электричества. Задачей изобретения является повышение степени концентрации солнечного излучения в фотоэлектрическом модуле и снижение его стоимости. Указанный технический результат достигается тем, что оптический элемент выполнен в виде концентратора энергии из...

 Изобретение относится к гелиотехнике, в частности к солнечным фотоэлектрическим модулям с концентраторами излучения для получения электричества. Техническим результатом изобретения является повышение удельной мощности солнечного фотоэлектрического модуля, упрощение технологии изготовления оптического элемента фотоэлектрического модуля и снижение его себестоимости. Сущность: в солнечном фо...