Мурашев В.Н.

 Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: полевой транзистор типа металл - диэлектрик-полупроводник содержит диэлектрическую подложку, на поверхности которой расположены области истока и стока, снабженные электродами и выполненные из материала с металлической проводимостью, полупроводниковую подзатворную область, размещенную между областями истока и стока, слой подзатворного...

 Использование: в области ядерного приборостроения и микроэлектронике. Технический результат: повышение быстродействия, чувствительности и координатного разрешения детектора. Сущность: в детекторе в качестве детектирующего элемента матрицы используется двухэмиттерный биполярный транзистор, первый эмиттер которого подсоединен к электроду, параллельному координатной оси X, второй эмиттер под...

 Изобретение "Динамическая ячейка" относится к области электроники и может быть использовано, в частности, при создании оперативных и постоянных запоминающих устройств с повышенным быстродействием. В данной ячейке применен асинхронный принцип записи и отсутствуют тактовые сигналы, что повышает надежность ее работы в динамических оперативных запоминающих устройствах и обеспечивает достигаем...

 Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: интегральная транзисторная MOS структура содержит на полупроводниковой подложке первого типа проводимости диэлектрический слой, на котором расположены истоковые и стоковые области первого типа проводимости, разделенные подзатворной областью второго типа проводимости, перекрытой областью подзатворного диэлектрика с расположенным на нем...