Самсоненко Б.Н.

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления полевых транзисторов с субмикронным затвором на GaAs. Сущность изобретения: перед формированием изоляции активных областей формируют омические контакты, осаждая слой Au - Ge толщиной 400 - 700 А. Изоляцию активных областей формируют путем создания фоторезистивной маски с рисунком областей, граничащих с каналом транзистора, и проведе...

  Использование: при изготовлении полевых транзисторов. Сущность: способ заключается в том, что на пластину арсенида галлия с активным слоем после создания фоторезистивной маски, формирования меза-структур анодным окислением, проведения анодного окисления меза-структур, удаления фоторезиста наносят слой SiO2, создают фоторезистивную маску с рисунком затворного слоя металлизации, из окон ко...

  Использование: в микроэлектронике для производства транзисторов Шоттки на меза-структурах. Сущность изобретения: способ включает изготовление полупроводниковых приборов на полуизолирующей пласлине арсенида галлия с активной структурой путем формирования меза-структуры, формирования маски двуокиси кремния с окном над активной областью прибора, формирования защитной маски анодным окисление...

  Использование: в производстве полупроводниковых приборов, в частности при изготовлении полевых транзисторов Шоттки на меза-стуктурах. Сущность изобретения: способ предусматривает формирование электрохимическим осаждением по одной фоторезистивной маске Au - Ge-контактов на активных областях при интенсивном освещении. В темноте осаждают золото на мезе. Электрохимическое соединение контакто...

 Использование: в микроэлектронике. Сущность изобретения: способ формирования разводки на поверхности полупроводниковой пластины с островками диэлектрика включает напыление вспомогательных слоев металла, создание фоторезистивной маски с рисунком разводки, формирование электрического контакта к пластине, осаждение из электролита золота, удаление фоторезиста, стравливание вспомогательных сло...

 Использование: полупроводниковая техника, для изготовления полевых транзисторов Шоттки с грибообразным затвором субмикронной длины. Сущность изобретения: затворную щель 0,1-0,15 мкм в слое диэлектрика формируют с помощью контактной фотолитографии путем вытравливания несквозного углубления в слое SiO2 с контролируемым боковым растравом под фоторезистивную маску, напыления вспомогательного...

 Изобретение относится к области электрического оборудования, в частности к полупроводниковым приборам, а именно к фотопреобразователям. Технический результат, достигаемый при применении предлагаемого способа изготовления фотопреобразователя, заключается в создании узких электродов с высокой электропроводностью, что ведет к существенному уменьшению затененности полупроводниковой пластины и...