Крюков С.В.

 Изобретение относится к постоянным запоминающим устройствам, в частности к накопителям на основе МДП-структур. Целью изобретения является повышение надежности накопителя за счет снижения вероятности единичных отказов при перепрограммировании. В приповерхностный слой полупроводниковой подложки введена четвертая диффузионная область первого типа проводимости с концентрацией примеси 1014-510...

 Изобретение относится к устройствам вычислительной техники и может быть использовано в электрически перепрограммируемых постоянных запоминающих устройствах, сохраняющих информацию при отключенных источниках питания. Цель изобретения - увеличение количества циклов перепрограммирования элемента памяти. Поставленная цель достигается тем, что элемент памяти содержит второй слой 13 поликремния...

 Изобретение относится к черной металлургии и предназначено для использования при производстве слитков подшипниковой стали. Способ производства слитков подшипниковой стали включает выплавку стали и разливку сифоном в изложницы. Предварительно в изложницы вводят шлакообразующую смесь в количестве 1,3 - 2,5 кг на 1 т стали. Шлакообразующая смесь содержит, мас.%: пыль газоочистки производства...