Атаев Б.М.

 Изобретение может быть использовано в полупроводниковом материаловедении. Сущность изобретения: рост нитевидных кристаллов оксида цинка осуществляют на воздухе с использованием излучения CO2- лазера непрерывного действия. Изобретение позволяет получать нитевидные кристаллы без затравок и кристаллизационных камер. 1 ил. Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения. Р...

 Использование: в электронной технике. Сущность: предложен способ получения монокристаллических слоев оксида цинка на неориентирующих подложках из стекла, керамики, плавленого кварца, тугоплавкого металла или полупроводника с отличными от оксида цинка постоянными решеток - методом химических транспортных реакций (ХТР) в проточном реакторе пониженного давления в атмосфере водорода. Для обес...

 Использование: в электронном материаловедении. Сущность: методом магнетронного распыления с использованием маски наносят тонкий текстурированный слой базисной ориентации на часть монокристаллической подложки Al2O3, температура которой не превышает 500 К. Выращивают на всей поверхности подложки методом химических транспортных реакций эпитаксиальные слои, обеспечивающие формирование выраже...