Черный Б.И.

  № 109533 Отв. редактор Л. Г. Голандский Стапдартгиз. Подп, к печ. 21/II 1958 г. Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Неглинная, 23. Зак. 856. зволяет производить экономию электроэнергии, избавляет от изготовления мощных электромагнитов позволяет производить термообработку магнитов слож|юй Формы. Предмет изобретения Способ терм...

  СОЮЭ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК йю дАРсвеннокплткнтнок .::.- ; -;. ., .:" .:,:. . :-. .; "@"." . %43 ". " I 2 (54) CA0COS ЙЗГОТОЙЛЕНЙЯ ИНТЕГРАПЬНЫХ.СХЕМ 667011 3 .. 4 Изобретейие относится к производству: того, что сошлифованные области материаполупроводниковых приборов, s частности ла подложки занимают полезную часть плок производству йнтегральных схем.::, :: - щ...

 (19)SU(11)1115630(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/308(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБЛАСТЕЙ Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к формированию транзисторных...

  Изобретение относится к технологии полупроводникового производства и может быть использовано при изготовлении кремниевых структур с диэлектрической изоляцией. Цель изобретения - повышение выхода годных структур. На поверхности кремниевой подложки селективным травлением формируют необходимый рельеф, после чего термическим окислением наносят слой двуокиси кремния. На полученную поверхность...

  Изобретение относится к микроэлектронике. в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИМС. Цель - снижение трудоемкости за счет сокращения количества технологических операций и повышение выхода годных за счет увеличения прочности структур. Для этого в технологическом процессе изготовления структур ИМС в кремниевой подложке формируют изолирующие канавки, создают диф...