Лучинин В.В.

  Использование: микроэлектронные устройства на карбиде кремния, включающие активные приборы с барьером Шоттки. Сущность изобретения: выпрямляющие контакты Шоттки изготавляются путем отжига предварительно химически очищенного кристала или кристаллического слоя карбида кремния в вакууме при температурах от 600 до 800°С в течение времени от 10 до 30 мин. В качестве материала контакта использ...

 Использование: изобретение относится к технологии многокомпонентных полупроводниковых материалов и касается управления процессом нанесения эпитаксиальных полупроводниковых структур на подложку в установке корпускулярного осаждения. Сущность изобретения: способ предусматривает регулирование температуры осаждения и избытка одного из исходных компонентов корпускулярного пучка. Предварительно...

 Использование: в технологии изготовления микромеханических приборов, в частности микрогироскопов, микроакселерометров, микродатчиков давления, из кремнийсодержащих полупроводниковых структур. Способ предусматривает изготовление микромеханических приборов из кремнийсодержащей полупроводниковой структуры, предусматривающий нанесение на подложку пленки из проводящего монокристаллического кре...

 Использование: при получении моно- и мультислойных структур низкомолекулярных и высокомолекулярных соединений, преимущественно ограниченно растворимого амфифильного вещества (ОРАФВ) из жидкой фазы. Сущность изобретения: способ предусматривает перенесение поверхностного слоя слабоконцентрированной жидкой фазы ОРАФВ на подложку под контролем поверхностного давления на границе раздела жидкой...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии конструирования полупроводниковых датчиков ультрафиолетового излучения (УФИ). Технический результат изобретения - повышение селективности измерений УФИ в C-диапазоне и расширение арсенала используемых для этой цели средств. Сущность: датчик содержит подложку, слой полупроводника, чувствительного к УФИ, и элект...

 Использование: при изготовлении микромеханических приборов и микроэлектронных устройств из сэндвич-структуры "SiC-AlN" на подложке. Сущность изобретения: способ предусматривает плазмохимическое вытравливание с использованием маскирующего покрытия участков пленки SiC и последующее удаление участков слоя AlN для освобождения подвижных элементов целевого изделия. Все операции осуществляют в...

 Изобретение относится к микроэлектронике и касается конструкции изготовления малоинерционного микроэлектронного источника ИК излучения. Сущность: устройство содержит кремниевую подложку и прикрепленный к ней электролюминесцентный элемент, выполненный из кремнийсодержащего материала и снабженный токоподводящими контактами и электрически изолированный от подложки с помощью пассивирующего по...

 Изобретения относятся к микроэлектронике. Сущность изобретения: микромеханический прибор содержит тензорезисторный чувствительный элемент, выполненный в полупроводниковой структуре легированного карбида кремния на подложке с диэлектрической поверхностью. В качестве полупроводниковой структуры используют карбид кремния, легированный из расчета соотношения активных и дефектных примесных цен...

 Изобретение относится к прикладной физике и химии и может быть использовано в конструкции интегрированной микрочиповой системы для тестирования. Предложен микрореактор, содержащий кремниевый микрочип, проточную реакционную камеру, микрофлюидную систему с подложкой, электронагреватель и термодатчик, подключенные к программному регулятору с образованием системы автоматического регулирования...

 Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при проведении различных процессов отрасли. Технический результат - упрощение способа и обеспечение универсальности его применения. Способ предусматривает микротехнологическую обработку поверхности подложки в режиме, устанавливаемом по результатам предварительного определения сорбционного взаимодействия физико-х...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении микроактюаторов, микрофонов, полевых транзисторов, электретных элементов и др. Технический результат изобретения - обеспечение высокой надежности и электрической стабильности целевого изделия, а также упрощение технологии его изготовления. Сущность: микроэлектронная структура включает кремнийсодержащую пол...

 Изобретение относится к микроэлектронному приборостроению и касается конструкции полупроводникового термомеханического микроактюатора. Технический результат - упрощение конструкции и обеспечение надежной работы в экстремальных условиях по температуре, а также разработка варианта конструкции, обладающего малой инерционностью. Сущность: микроактюатор содержит основание, выполненное в виде р...

 Изобретение относится к микротехнологии. Предложен способ изготовления микрочипного устройства на основе фоторезиста, предусматривающий нанесение многослойного фоторезиста на подложку, микропрофилирование в нем рельефа функциональных элементов и формирование выводов для присоединения устройства к внешней цепи. При этом каждый слой фоторезиста наносят ламинированием с помощью валков с посл...

 Изобретение относится к наноэлектронному приборостроению. Предложена наносенсорная система, содержащая подложку и сформированные на ней активные элементы - донор и акцептор электрона, связанные с помощью цепи переноса заряда, образованной из полимерного материала. При этом цепь переноса заряда включает линейно связанные HN-C=O или гомологичные ей группы полипептида. В качестве донора элек...