Корляков А.В.

 Использование: изобретение относится к технологии многокомпонентных полупроводниковых материалов и касается управления процессом нанесения эпитаксиальных полупроводниковых структур на подложку в установке корпускулярного осаждения. Сущность изобретения: способ предусматривает регулирование температуры осаждения и избытка одного из исходных компонентов корпускулярного пучка. Предварительно...

 Использование: в технологии изготовления микромеханических приборов, в частности микрогироскопов, микроакселерометров, микродатчиков давления, из кремнийсодержащих полупроводниковых структур. Способ предусматривает изготовление микромеханических приборов из кремнийсодержащей полупроводниковой структуры, предусматривающий нанесение на подложку пленки из проводящего монокристаллического кре...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии конструирования полупроводниковых датчиков ультрафиолетового излучения (УФИ). Технический результат изобретения - повышение селективности измерений УФИ в C-диапазоне и расширение арсенала используемых для этой цели средств. Сущность: датчик содержит подложку, слой полупроводника, чувствительного к УФИ, и элект...

 Использование: при изготовлении микромеханических приборов и микроэлектронных устройств из сэндвич-структуры "SiC-AlN" на подложке. Сущность изобретения: способ предусматривает плазмохимическое вытравливание с использованием маскирующего покрытия участков пленки SiC и последующее удаление участков слоя AlN для освобождения подвижных элементов целевого изделия. Все операции осуществляют в...

 Изобретение относится к микроэлектронике и касается конструкции изготовления малоинерционного микроэлектронного источника ИК излучения. Сущность: устройство содержит кремниевую подложку и прикрепленный к ней электролюминесцентный элемент, выполненный из кремнийсодержащего материала и снабженный токоподводящими контактами и электрически изолированный от подложки с помощью пассивирующего по...

 Изобретения относятся к микроэлектронике. Сущность изобретения: микромеханический прибор содержит тензорезисторный чувствительный элемент, выполненный в полупроводниковой структуре легированного карбида кремния на подложке с диэлектрической поверхностью. В качестве полупроводниковой структуры используют карбид кремния, легированный из расчета соотношения активных и дефектных примесных цен...

 Изобретение относится к прикладной физике и химии и может быть использовано в конструкции интегрированной микрочиповой системы для тестирования. Предложен микрореактор, содержащий кремниевый микрочип, проточную реакционную камеру, микрофлюидную систему с подложкой, электронагреватель и термодатчик, подключенные к программному регулятору с образованием системы автоматического регулирования...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении микроактюаторов, микрофонов, полевых транзисторов, электретных элементов и др. Технический результат изобретения - обеспечение высокой надежности и электрической стабильности целевого изделия, а также упрощение технологии его изготовления. Сущность: микроэлектронная структура включает кремнийсодержащую пол...

 Изобретение относится к микроэлектронному приборостроению и касается конструкции полупроводникового термомеханического микроактюатора. Технический результат - упрощение конструкции и обеспечение надежной работы в экстремальных условиях по температуре, а также разработка варианта конструкции, обладающего малой инерционностью. Сущность: микроактюатор содержит основание, выполненное в виде р...

 Изобретение относится к микротехнологии. Предложен способ изготовления микрочипного устройства на основе фоторезиста, предусматривающий нанесение многослойного фоторезиста на подложку, микропрофилирование в нем рельефа функциональных элементов и формирование выводов для присоединения устройства к внешней цепи. При этом каждый слой фоторезиста наносят ламинированием с помощью валков с посл...