Бунин Г.Г.

  № 114493 Класс 21а4 У1 QUIP Г г .i r1 г ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Г. Г. Бунин и Е. И. Калинин СПОСОБ ИЗМЕРЕН ИЯ ТЕМПЕРАТУРНОГО КОЭФФИЦИЕНТА ЧАСТОТЫ ОТРАЖАТЕЛЬНЫХ КЛИСТРОНОВ За»иле»о 5 авгеега lг157 г. ва № 581555» Комитет»» делам 11аобретеил1» огкры,;й при Совете .Чи»»итров Г ГСР Предмет изобретения составляет способ измерения температурного коэф...

 Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Цель изобретения - повышение выхода годных фотошаблонов за счет улучшения адгезии электронорезистора (ЭР) на основе полиметилметакрилата к металлическому маскирующему покрытию (МП). На стеклянную или кварцевую подложку наносят слой МП (например, хрома) и слой ЭР. ЭР экспонируют электронным лучом, проявляют и задубливают в термостате. За...

 Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Целью изобретения является повышение точности изготовления структур за счет устранения недотравленных участков рабочих слоев. На подложку с рабочим слоем наносят слой резиста и электронолитографией формируют в нем рельеф с отрицательным профилем. Допроявление резиста осуществляют реактивным ионно-лучевым травлением (РИЛТ) в среде кислор...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Цель изобретения - повышение точности получения элементов рельефа. На кремниевую подложку последовательно наносят слои электронорезиста многослойной резистивной маски. При нанесении в качестве материала слоя, прилегающего к по...