Карпов С.Ю.

 Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений типа А3N и может быть использовано при изготовлении эпитаксиальных структур различного назначения. Сущность изобретения: способ получения эпитаксиальных структур нитридов элементов группы А3 на кристаллических подложках включает создание в вакуумной камере в бесстолкновительном режиме одного или нескольких молекуляр...

 Изобретение может быть использовано при производстве полупроводников для электронной промышленности. Способ эпитаксиального выращивания монокристаллического нитрида алюминия из смеси азота и паров алюминия включает размещение в ростовой камере (3) друг напротив друга подложки (4) и источника (5) алюминия, нагрев и поддержание рабочих температур источника (5) и подложки (4), обеспечивающих...

 Изобретение относится к области защиты информации управления в каналах передачи данных и может применяться в соответствующих схемах при криптографическом преобразовании. Его использование позволяет получить технический результат в виде повышения защиты информации за счет генерирования биективных функций последовательностями n-двоичных элементов из поля Галуа GF(2n), записанных последовате...