Гаджиева С.М.
Изобретатель Гаджиева С.М. является автором следующих патентов:

Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для отвода теплоты и термостабилизации микросборок
Изобретение относится к области электрорадиотехники и может быть использовано для обеспечения требуемых температурных режимов узлов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), рассеивающих значительные мощности. Техническим результатом на достижение которого направлено изобретение, является повышение эффективности термостабилизации РЭА. Предлагаемое устройство позволяет интенсивно термостабилизиро...
2133084
Термоэлектрический интенсификатор теплопередачи преимущественно для отвода тепла от импульсных источников и элементов радиоэлектроники большой мощности
Изобретение относится к электрорадиотехнике и технической физике и предназначено для термостабилизации элементов радиоэлектроники, выделяющих при работе в непрерывном и импульсном режимах значительное количество теплоты. Технический результат, получаемый от использования данного изобретения, состоит в повышении эффективности термостабилизации импульсных источников и элементов радиоэлектро...
2133560
Способ исследования суммарных аберраций оптической системы глаза
Изобретение относится к области медицины и касается способов диагностики и коррекции оптических несовершенств глаза. Техническим результатом изобретения является упрощение способа диагностики, сокращение времени измерения и повышение точности исследования суммарных аберраций глаза. Способ осуществляется следующим образом. Пациент фиксирует взор на визометрических тест-объектах, соответств...
2158530
Устройство для интраоперационных офтальмологических измерений
Изобретение относится к медицине и касается устройств, используемых в глазной микрохирургии. Устройство включает корпус с нониусной шкалой, подвижную и неподвижную измерительные бранши, выполненные в виде заостренных в конце металлических пластинок, изогнутых под углом 120o плоскости корпуса измерителя. Техническим результатом изобретения является повышение точности интраоперационных офта...
2158568
Способ получения борофосфорсиликатных пленок
Использование: в технологии получения полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: на поверхности подложки формируют легированный бором и фосфором слой двуокиси кремния при 50-200°С, осаждением из газовой фазы за счет реакций между тетрахлоридом кремния, трихлорида бора, трихлорида фосфора с кислородом и окисью азота. Техническим результатом изобретения является снижение температуры...
2173912