PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Кацман В.И.

Изобретатель Кацман В.И. является автором следующих патентов:

Способ выращивания монокристаллов группы дигидрофосфата калия

Способ выращивания монокристаллов группы дигидрофосфата калия

 СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ ДИГИДРОФОСФАТА КАЛИЯ из переохлажденного водного раствора на размещенную в кристаллизаторе затравку, вырезанную параллельно грани (100) или (101), отличающийся тем, что, с целью повышения скорости роста и оптической однородности кристаллов, используют затравку, соответствующую размерам дна кристаллизатора, и размещают ее на дне так, чтобы ее криста...

955741

Устройство для выращивания профилированных кристаллов из раствора

Устройство для выращивания профилированных кристаллов из раствора

 Изобретение относится к выращиванию кристаллов из растворов для лазерной техники. Целью изобретения является повышение производительности устройства и качества кристалла. Повышение скорости роста кристалла и его качества обеспечивается формированием тонкого и однородного диффузионного слоя питающего раствора, который подается через щелевидное сопло, периодически перемещающееся вдоль расту...

1342056

Способ получения затравочной пластины

Способ получения затравочной пластины

 Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов и может быть использовано при изготовлении затравочных пластин для выращивания кристаллов типа КДР большого сечения. Изобретение позволяет получать затравку апертуры большей, чем первоначальная, пригодной для последующего выращивания на ней кристаллов высокой оптической стойкости. Способ включает моносекториальное выращивание крист...

1732701

Устройство для выращивания профилированных кристаллов из раствора

Устройство для выращивания профилированных кристаллов из раствора

 Изобретение относится к выращиванию кристаллов из водных растворов и может быть использовано для скоростного выращивания монокристаллов заданной формы и кристаллографической ориентации, например, кристаллов группы КДР. Сущность изобретения: ростовая камера, установленная на штанге внутри кристаллизатора с раствором соли, выполнена так, что внутренние размеры ее продольных стенок, параллел...

2133307

Устройство для выращивания кристаллов группы кдр

Устройство для выращивания кристаллов группы кдр

 Изобретение относится к технике для выращивания кристаллов из водных растворов и может быть использовано для получения кристаллических заготовок оптических элементов, например, для нелинейной оптики. Сущность изобретения: в кристаллизационный сосуд с рабочим раствором соответствующей соли введены две скрепленные между собой на расстоянии, определяемом требуемой толщиной кристалла, платфор...

2136789


Устройство для скоростного выращивания профилированных и ориентированных моносекториальных кристаллов группы кдр из раствора

Устройство для скоростного выращивания профилированных и ориентированных моносекториальных кристаллов группы кдр из раствора

 Изобретение относится к выращиванию кристаллов с заданными формой и кристаллографической ориентацией из водных растворов. Сущность изобретения: герметичный кристаллизатор, содержащий ростовую камеру и погружной центробежный насос, заполнен рабочим раствором соли полностью. Внутренние поверхности крышки кристаллизатора и платформы выполнены в виде общего усеченного конуса, а центральная ча...

2176000

Устройство для выращивания ориентированных и профилированных кристаллов группы кдр из точечной затравки и затравочный узел устройства

Устройство для выращивания ориентированных и профилированных кристаллов группы кдр из точечной затравки и затравочный узел устройства

 Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов из водных растворов и может быть использовано для получения кристаллических заготовок оптических элементов для нелинейной оптики. В кристаллизаторе с раствором соли жестко установлены две параллельно скрепленные между собой платформы 4 и 5 в виде дисков. Расстояние между платформами 4 и 5 определяется требуемой толщиной выращиваемо...

2197569