Мелешко Е.А.

 Использование: в области ядерного приборостроения и микроэлектронике. Технический результат: повышение быстродействия, чувствительности и координатного разрешения детектора. Сущность: в детекторе в качестве детектирующего элемента матрицы используется двухэмиттерный биполярный транзистор, первый эмиттер которого подсоединен к электроду, параллельному координатной оси X, второй эмиттер под...