Лежнин И.В.
Изобретатель Лежнин И.В. является автором следующих патентов:

Сверхпроводящий квантовый интерференционный датчик и способ его изготовления
Использование: при разработке высокочувствительных сверхпроводящих датчиков магнитного потока и детекторов электромагнитного поля. Сущность изобретения: в сверхпроводящем квантовом интерференционном датчике, содержащем электроды и мостики из сверхпроводящего материала, электроды и мостики выполнены из монокристаллической эпитаксиальной сверхпроводящей пленки YВаСuО толщиной 10 - 25 нм. Эл...
2133525