Левченко Г.Т.

  Класс 42/, 4

 Устройство катодного распыления сегнетоэлектриков в вакууме, содержащее анод, катодный узел, включающий сегнетоэлектрическую мишень и систему разогрева мишени, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции, система разогрева мишени выполнена в виде металлической пластины, расположенной на сегнетоэлектрической мишени с возможностью углового перемещения. Изобретение относится к техни...

 (19)SU(11)1077334(13)A1(51)  МПК 6    C23C14/24(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ Изобретение относится к области нанесения покрытия в вакууме и может быть использовано в технологических вакуумных установках для создания пленочных интегр...

 ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ с инверсионным слоем, содержащий полупроводниковую подложку, диэлектрический слой с встроенным зарядом и электроды, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД и стабильности параметров, диэлектрический слой выполнен из поликристаллического сегнетоэлектрика и поляризован в направлении, перпендикулярном поверхности полупроводниковой подложки. Изобретение...

 (19)SU(11)1137775(13)A1(51)  МПК 6    C23C14/00(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК Изобретение относится к области нанесения покрытий в вакууме и может быть использовано, например, при изготовлении пленочных интегральных схем и, в част...

 СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОЙ МИШЕНИ, включающий синтез шихты сегнетокерамических компонентов, измельчение, формовку и обжиг полученной заготовки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества мишени путем снижения содержания загрязнений, синтез проводят расплавлением шихты лучистым нагревом с одновременным перемешиванием расплава, а измельчение осуществляют термоударом. Изо...

 (19)SU(11)1243397(13)A1(51)  МПК 6    C23C14/38(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОЙ МИШЕНИ Изобретение относится к технике получения керамических мишеней для нанесения покрытий в вакууме распылением и может быть использовано при изготовлении...

 СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ, включающий подложку из полупроводникового материала и металлические контакты, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности преобразования, на поверхность подложки нанесена легированная редкоземельными элементами текстурированная пленка сегнетоэлектрика, ось текстуры которой перпендикулярна поверхности подложки. Изобретение относится к полупроводниковым преобра...

 (19)SU(11)1271132(13)A1(51)  МПК 6    C23C14/36(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК ИОННО-ПЛАЗМЕННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ Изобретение касается нанесения покрытий в вакууме, а именно устройств ионно-плазменного распыл...

 (19)SU(11)1274339(13)A1(51)  МПК 6    C23C14/36(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОЙ МИШЕНИ Изобретение относится к области нанесения покрытий в вакууме путем ионного распыления мишеней, а именно, к способам изготовления мишеней. Целью изобре...

 Изобретение относится к области нанесения покрытий в вакууме путем ионного распыления мишеней. Цель изобретения повышение долговечности мишени достигается путем равномерной обработки участков материала мишени током в процессе ее изготовления. Для этого пропускают ток поочередно через участки металлизации, что позволяет устранить неоднородность в структуре керамики. По окончании обработки...

 Изобретение относится к области нанесения покрытий в вакууме и изготовления сегнетокерамических мишеней, распыляемых ионной бомбардировкой в вакууме. Цель изобретения повышение производительности изготовления мишени достигается путем ускорения структурных преобразований материала заготовки в процессе обработки ее током разряда. Для этого обработку заготовки током разряда в вакууме проводя...

 Изобретение относится к вакуумной технике. Цель упрощение конструкции устройства для нанесения диэлектрических покрытий катодным распылением в вакууме, повышение его экономичности. Устройство содержит катод-мишень 1, подложку (П) 2, подложкодержатель 3, нагреватель 4, кольцевой анод (КА) 5. Для достижения цели на КА 5, равномерно по его периметру, сделаны выступы 6 игольчатой формы, напри...

  Изобретение относится к нанесению покрытий в вакууме и может быть использовано для создания изделий электронной техники, радиотехники, оптики и др. С целью увеличения коэффициента полезного использования распыленного материала в устройстве, содержащем магнетронную систему, состоящую из кода с мишенью и полюсных наконечников и анода, а также подложкодержатель, оси симметрии подложкодержат...

 Изобретение относится к нанесению покрытий в вакууме и может быть использовано в технологических вакуумных установках для создания изделий электронной техники, радиотехники, оптики и др. Сущность: устройство для магнетронного распыления материалов в вакууме содержит подложкодержатель с приводом для его вращения, анод, магнетронную систему с двумя катодами и расположенными под углом к оси...