Путря М.Г.
Изобретатель Путря М.Г. является автором следующих патентов:

Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур
Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур содержит камеру с системой подвода и отвода газа, подложкодержатель, установленный в основании камеры с возможностью подачи на него потенциала смещения, и систему генерации плазмы, состоящую из спирального индуктора, расположенного над диэлектрическим экраном, и системы согла...
2133998