Сыпчук П.П.
Изобретатель Сыпчук П.П. является автором следующих патентов:

Способ создания электростатических зарядов на диэлектрических или полупроводниковых материалах
Мв 145283 Класс 2lg, 11 2 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа Л& 97 Л. И. Бакуменко, Е. И. Мокров, Б. Н. Васильев и П. ll. Сыпчук СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИХ ЗАРЯДОВ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ИЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛАХ Заявлено 7 февраля 1961 г. за Кв 696766/26 l3 Комитет по делам изобретений и открытий ири Совете Министров СССР Опублико...
145283