Овчаренко В.И.

  Класс 421 80а 7 Лгв 146523 ССС1 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 11одписная группа Лг !б8 Л. А. Шуляк, Б. И. Ицексон, В. И. Овчаренко и P. С. Тиллес ПРИСТАВКА К ЦИФЕРБЛАТНОМУ УКАЗАТЕЛЮ ДОЗАТОРНЫХ ВЕСОВ Заявлено 11 апреля 1960 г. за ЛЪ 662566/29 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобретений» No 8 за 196...

 (19)SU(11)888731(13)A1(51)  МПК 5    G11C11/40, G11C17/00(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА Изобретение относится к устройствам вычислительной техники. Оно может быть использовано в постоянных электрически программиру...

 (19)SU(11)1025259(13)A1(51)  МПК 5    G11C17/00(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоми- нающим устройствам (Э...

 (19)SU(11)1053638(13)A1(51)  МПК 5    G11C11/40(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА Изобретение относится к устройствам вычислительной техники. Оно может быть использовано в электрически перепрограммируемых постоянных запоминающи...

 1. Матричный накопитель для постоянного запоминающего устройства, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости с углублениями в ней, в приповерхностном слое которой размещены первая группа разрядных диффузионных шин второго типа проводимости и между ними в углублениях полупроводниковой подложки первого типа проводимости диффузионный слой первого типа проводимости, на по...

  Изобретение относится к вычислительной технике. Оно может быть использовано в электрически перепрограммируемом постоянном запоминающем устройстве, сохраняющем информацию при отключении источника питания, на запоминающих транзисторах с плавающими, управляющими, стирающими затворами. Целью изобретения является повышение надежности работы матричного накопителя. Цель достигается за счет разм...

  Изобретение относится к вычислительной технике. Оно может быть использовано в электрически перепрограммируемом постоянном запоминающем устройстве, сохраняющем информацию при отключении источника питания. Целью изобретения является упрощение матричного накопителя. Поставленная цель достигается за счет выполнения разрядных шин 15 металлическими и размещения их на поверхности пятого диэлект...

 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в электрически программируемом ПЗУ на основе транзисторов с плавающим затвором. Цель изобретения - повышение надежности накопителя. Цель достигается тем, что накопитель содержит третью группу разрядных шин 6 с соответствующими связями. Введение третьей группы разрядных шин 6 позволяет поддерживать постоянное нулевое...

  Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в электрически перепрограммируемом постоянном запоминающем устройстве, сохраняющем информацию при отключении источника питания. Целью изобретения является повышение надежности работы матричного накопителя. Матричный накопитель содержит полупроводниковую подложку 1 первого типа проводимости, диффузионную область 4 пе...

  Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в электрически перепрограммируемом постоянном запоминающем устройстве. Целью изобретения является повышение надежности матричного накопителя. Для этого между разрядной шиной накопителя и плавающим затвором запоминающего транзистора подсоединен конденсатор. 1 ил. Изобретение относится к вычислительной технике и может...