Дюков В.Г.

 Использование: изобретение относится к области измерений электрофизических параметров полупроводниковых пластин и структур при производстве интегральных микросхем и может быть использовано для оптимизации технологических процессов. Сущность изобретения: освещают локальную область поверхности пластины модулированным монохроматическим излучением на разных длинах волн и измеряют сигналы фото...

 Использование: для измерения электрофизических параметров полупроводниковых пластин и структур при производстве интегральных микросхем, для оптимизации технологических процессов. Сущность изобретения: освещают локальную область поверхности пластины модулированным монохроматическим излучением на разных длинах волн и измеряют сигналы фотоЭДС. Выбирают потоки на линейном участке зависимости...

 Использование: микроэлектроника, оборудование для измерения параметров полупроводниковых пластин в процессе изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: устройство содержит два источника модулированного оптического излучения, оптические элементы связи, фотоприемник, фокусирующий элемент, предметный столик, датчик фотоЭДС с электродом емкостной связи и предусилителем, два...

 Использование: неразрушающие методы контроля полупроводниковых структур без формирования контактов. Сущность изобретения: выявляют контролируемые области в режиме потенциального контраста по контактным потенциалам. Облучают образец импульсным потоком оптического излучения. В режиме потенциального контраста с линеаризацией измеряют наведенную фотоЭДС, подбирают энергию и ток электронного з...