Морозюк А.М.

 Использование: полупроводниковая квантовая электроника, а именно конструкции маломодных лазерных диодов, которые могут быть использованы в волоконно-оптических системах связи для накачки твердотельных и волоконных лазеров при создании медицинской аппаратуры, лазерного технологического оборудования. Сущность изобретения: монтажная пластина лазерного диода выполнена из высокоомного арсенида...

 Изобретение относится к способам изготовления инжекционных лазеров на основе гетероструктур. Способ включает выращивание первого ограничительного слоя, содержащего легированный подслой первого типа электропроводности и состава, обеспечивающего наибольшее оптическое ограничение излучения, активного слоя, второго ограничительного слоя, содержащего легированный подслой второго типа электропр...

 Изобретение используется в системах связи, являясь важной частью оптических коммуникационных систем, при создании лазерного технологического оборудования, медицинского оборудования, контрольно-измерительных устройств и т. д. По способу изготовления оптического передающего модуля используемые оптические элементы согласовывают с угловой расходимостью выходного излучения инжекционного лазера...