Лобинцов А.В.

 Использование: изобретение может быть использовано при изготовлении полупроводниковых инжекционных лазеров, применяемых в устройствах обработки оптической информации, измерительной, медицинской и вычислительной технике. Сущность: на гетероэпитаксиальной структуре формируют фоторезистивную маску и по ней вытравливают мезаполоску методом ионно-химического травления, проводят анодное окислен...

 Использование: полупроводниковая квантовая электроника, а именно конструкции маломодных лазерных диодов, которые могут быть использованы в волоконно-оптических системах связи для накачки твердотельных и волоконных лазеров при создании медицинской аппаратуры, лазерного технологического оборудования. Сущность изобретения: монтажная пластина лазерного диода выполнена из высокоомного арсенида...