Бородкин А.А.

 Использование: электронная техника, а именно, конструкция инжекционного полупроводникового лазера с повышенной плотностью мощности ( 106 Вт/см2) и с ограниченной по размерам излучающей площадкой. Сущность изобретения: по крайней мере на одной из граней резонатора инжекционного лазера выполнено покрытие, состоящее из переходного слоя определенной толщины, примыкающего к основному материалу...

 Использование: в теплотехнике. Сущность изобретения: в камере вытеснения установлена с зазором расходная емкость с горизонтальным срезом и магистраль задержки в виде изогнутой трубки. Верхняя точка ее расположена ниже горизонтального среза расходной емкости на расстоянии не более диаметра трубки. Один из концов магистрали помещен внутрь расходной емкости и снабжен несмачиваемой насадкой....

 Использование: полупроводниковая квантовая электроника, а именно конструкции маломодных лазерных диодов, которые могут быть использованы в волоконно-оптических системах связи для накачки твердотельных и волоконных лазеров при создании медицинской аппаратуры, лазерного технологического оборудования. Сущность изобретения: монтажная пластина лазерного диода выполнена из высокоомного арсенида...

 Изобретение относится к области сборочно-клепальных работ и может быть использовано при клепке стержневыми заклепками. После сжатия пакета склепываемых деталей в нем сверлят отверстие и зенкуют гнездо под потайную головку. В отверстие устанавливают стержневую заклепку. Концы стержня заклепки помещают в отверстия оснастки и производят его осадку при сохранении исходной величины диаметра ко...