Давыдова Е.И.

 Использование: в системах записи и воспроизведения информации, измерительной, медицинской технике, системах связи. Сущность: на поверхности эпитаксиальной структуры многолучевого полупроводникового инжекционного излучателя выполнены по крайней мере три полосковых омических контакта и разделительные области в виде канавок с соответствующими шириной и удалением краев канавок от центров данн...

 Использование: изобретение может быть использовано при изготовлении полупроводниковых инжекционных лазеров, применяемых в устройствах обработки оптической информации, измерительной, медицинской и вычислительной технике. Сущность: на гетероэпитаксиальной структуре формируют фоторезистивную маску и по ней вытравливают мезаполоску методом ионно-химического травления, проводят анодное окислен...

  Использование: в полупроводниковой квантовой электронике, в лазерных и суперлюминесцентных источниках излучения для систем связи, считывания и записи информации, контрольно-измерительной аппаратуре, медицинской техники. Сущность изобретения: в инжекционном лазаре на основе гетероструктуры полупроводниковых соединений AIIIBIV и их твердых растворов с эмиттерными слоями и помещенной между...

 Использование: изобретение относится к полупроводниковой квантовой электронике, а именно к конструкциям инжекционных лазеров, которые могут быть использованы в современных волоконно-оптических системах связи, для накачки твердотельных и волоконных лазеров, при создании медицинской аппаратуры, лазерного технологического оборудования. Сущность изобретения: предложен мезаполосковый инжекцион...