PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ЭЙДЕЛЬМАН Л.Г.

Изобретатель ЭЙДЕЛЬМАН Л.Г. является автором следующих патентов:

Способ выращивания спектрометрических монокристаллов йодистого натрия, активированного таллием

Способ выращивания спектрометрических монокристаллов йодистого натрия, активированного таллием

  СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ СПЕКТРОМЕТРИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЙОДИСТОГО НАТРИЯ, АКТИВИРОВАННОГО ТАЛЛИЕМ, из расплава по методу Стокбаргера, отличающийся тем. что, с целью получения крупных кристаллов и улучшения их спектрометрических свойств, сырье непосредственно перед выращиванием полностью дегидратируют в вакууме вплоть до момента его расплавления, впускают осущенный воздух и удаляют ле...

176565

Устройство для вытягивания монокристаллов из расплава

Устройство для вытягивания монокристаллов из расплава

  ! \ ОПИСАНИ ИЗОБРЕТЕНИЯ и1166I966 ".,оюз советских Социалист;лесник Республик И АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 23.11.76 (21) 2421865j22-26 с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.03.80. Бюллетень ¹ 12 (45) Дата опубликования описания 30,03.80 (51) М. Кл. В OIJ 17/18 Государственный комитет (53) УДК 669.0...

661966

Способ выращивания монокристаллов иодистого цезия

Способ выращивания монокристаллов иодистого цезия

  Изобретение относится к получению кристаллов для инфракрасной техники используемых в качестве оптических элементов о Обеспечивает увеличение предела текучести кристаллов при сохранении оптических свойств,. Способ включает нагрев шихты,содержащей йодистый цезий с добавкой k-S мае„5 бромистого цезия После нагрева до плавления проводят выдержку в течение 1,0-1,5 ч„ Нагрев и выдержку...

1412383

Способ получения щелочногалоидных кристаллов

Способ получения щелочногалоидных кристаллов

  СОЮЗ COBETCHHX СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК 09) (30 (51) 5 С 30 В 11/02 29/12 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ, ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР fl0 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (46) 15. 03.93 ° оюл. Г 10 (21) 4164710/26 (22) 22.12.86 (72) В.И.Горилецкий, В.А.Неменов, А.H.Ïàíîâà,.è.Ë.Ã.Ýéäåéüìàí (56) Патент США У 4076574, кл. В 01 J 17/04, 1928. Патент США 1Р 4030...

1431392

Способ выращивания активированных щелочно-галоидных монокристаллов

Способ выращивания активированных щелочно-галоидных монокристаллов

  Изобретение относится к квантовой электронике и позволяет повысить качество щелочно-галоидных монокристаллов. Способ выращивания активированных щелочно-галоидных монокристаллов из расплава включает разращивание монокристалла до заданного диаметра при поддержании постоянного уровня расплава за счет подпитки расплава шихтой, вытягивание цилиндрической части монокристалла при подпит...

1538557