ГАРДНЕР Натан Е. (US)

Настоящее изобретение относится к технологиям роста и структурам устройств для полупроводниковых светоизлучающих устройств. Способ изготовления светоизлучающего устройства согласно изобретению содержит этапы, на которых выращивают III-нитридную структуру на подложке, при этом III-нитридная структура содержит шаблон, в свою очередь содержащий первый слой, выращенный непосредственно на подложке, пр...