Иовдальский В.А.(RU)
Изобретатель Иовдальский В.А.(RU) является автором следующих патентов:
Способ монтажа кристалла полупроводникового прибора
Использование: при монтаже кристаллов полупроводниковых приборов в объеме подложки гибридной интегральной схемы или в основании корпусов полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - обеспечение за счет предотвращения деформации подложки повышения технологичности процесса и точности посадки кристалла. Сущность способа заключается в том, что на установочной поверхности вы...
2136078Гибридная интегральная схема газового сенсора
Использование: электронная техника, в миниатюрных измерительных преобразователях концентрации газа. Сущность изобретения: гибридная интегральная схема газового сенсора содержит подложку в виде периферийной части в форме кольца и центральной части в форме диска, соединенных тремя перемычками, расположенными под углом 120o и имеющими разветвления у периферийной части под углом 120o. На цент...
2137117Гибридная интегральная схема свч-диапазона
Использование: полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: в гибридной интегральной схеме на обратной или лицевой стороне платы выполнено металлизированное углубление, металлизация которого служит нижней обкладкой конденсатора, оставшаяся часть платы под углублением служит диэлектриком конденсатора, а верхняя обкладка расположена на лицевой стороне платы и является частью то...
2137256Мощная гибридная интегральная схема свч диапазона
Использование: полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: в мощной гибридной интегральной схеме СВЧ диапазона на обратной стороне платы под выступом основания выполнено углубление с отверстиями в дне определенных размеров, при этом верхняя часть выступа основания, свободная от кристалла, электрически соединена с дном углубления, причем заземление части контактных площадок к...
2148872Гибридная интегральная схема свч-диапазона
Использование: электронная техника, полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит диэлектрическую плату с топологическим рисунком металлизации на лицевой стороне платы, экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне и отверстием и металлическое основание с выступом. Отверстие в плате имеет сужение на высоте 1 - 300 мк...
2148873Многослойная гибридная интегральная схема свч и квч диапазонов
Использование: полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: многослойная гибридная интегральная схема СВЧ и КВЧ диапазонов содержит пакет скрепленных между собой твердых диэлектрических плат с топологическим рисунком металлизации по меньшей мере на одной стороне плат и навесными кристаллами бескорпусных полупроводниковых приборов, расположенными в углублениях плат и закреплен...
2148874Мощная гибридная интегральная схема
Использование: полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: гибридная интегральная схема содержит металлизированную с двух сторон диэлектрическую плату с топологическим рисунком металлизации на лицевой стороне и по меньшей мере с одной монтажной площадкой, расположенной в углублении на лицевой стороне платы на теплоотводе. Кристалл бескорпусного электронного прибора расположе...
2161347